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原位插层聚合法制备聚苯胺/蒙脱石纳米复合导电材料的研究

作者: 胡傲厚; 彭同江; 孙红娟    单位: 西南科技大学材料学院; 西南科技大学矿物材料及应用研究所

关键词:聚苯胺; 蒙脱石; 原位插层聚合法

摘  要:

采用原位插层聚合法制备聚苯胺/蒙脱石纳米复合材料,研究了蒙脱石的用量、掺杂剂盐酸的用量、反应温度和反应时间等对复合材料导电性能的影响。结果表明:当蒙脱石与苯胺(苯胺用量5.1g)的质量比为0.09,2mol/L盐酸的用量为50mL,20℃条件下反应6h,所得复合材料电导率最大,达2.51S/cm。利用XRD、FT-IR、TG和SEM等手段对该条件下制备的纳米复合材料进行了表征。本实验研究对于蒙脱石的深加工应用和聚苯胺/蒙脱石纳米复合材料的制备具有重要的意义。

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